رم DDR5 به تازگی عرضه شده است، اما سامسونگ رسما تایید کرده است که روی نسل بعدی رم کار می کند.
بر اساس گزارشی، این غول فناوری اطلاعاتی در مورد تعدادی از رم های نسل بعدی در Tech Day 2021 ارائه کرده است، از جمله DDR6، GDDR6 +، GDDR7 و HNM3. سامسونگ اعلام کرد که توسعه استاندارد DDR6 با کمک JEDEC (سازمان توسعه و تولید نیمه هادی با بیش از 300 عضو از جمله برخی از بزرگترین شرکت های کامپیوتری جهان) آغاز شده و در حال تولید است.
این گزارش خاطرنشان می کند که نسخه استاندارد احتمالاً در سال 2024 تکمیل می شود، اما به احتمال زیاد نسل ششم حافظه DDR (از آنجایی که نسل پنجم اخیراً منتشر شده است) در سال 2025 یا 2026 منتشر خواهد شد. جزئیات فنی DDR6 نشان می دهد که سرعت انتقال داده در مقایسه با نسل قبلی خود دو برابر خواهد شد. در نتیجه، روی ماژول‌های JEDEC با سرعتی در حدود 12800 مگابیت بر ثانیه اجرا می‌شود که تقریباً چهار برابر سریع‌تر از DDR4 است. البته، DDR6 می تواند در ماژول های اورکلاک شده به سرعت تا 17000 مگابیت بر ثانیه برسد.
کانال های حافظه DDR6 نیز در هر ماژول دو برابر می شود. 4 کانال 16 بیتی به اضافه 64 بانک حافظه. (واحد ذخیره سازی منطقی)
(همان رم فناوری DDR که به طور طبیعی برای پردازنده‌های گرافیکی در نظر گرفته شده است) با کارت‌های گرافیک سازگار است و بخشی جدایی‌ناپذیر از پردازنده‌های گرافیکی است. توجه داشته باشید که GDDR را با رم DDR که حافظه سیستم را پوشش می دهد اشتباه نگیرید.
از سوی دیگر، سامسونگ قصد دارد GDDR6 + را قبل از GDDR7 اجتناب ناپذیر عرضه کند. بر اساس گزارش‌ها، گفته می‌شود که GDDR7 به سرعت ۲۴ گیگابیت در ثانیه دست می‌یابد و البته به پردازنده‌های گرافیکی اجازه می‌دهد تا در آینده پهنای باند ۷۶۸ گیگابیت بر ثانیه را ارائه دهند. علاوه بر این، پردازنده‌های گرافیکی با چیدمان گذرگاه (گذرگاه) 320/352/384 باید به پهنای باند بیش از 1 ترابایت در ثانیه دست یابند.
گفته می شود علاوه بر بهبود DDR6، DDR7 به سرعت انتقال بیش از 32 گیگابیت بر ثانیه دست می یابد. به گفته Wccftech، حافظه GDDR7 می تواند از طریق یک رابط باس 384 بیتی و یک سیستم 512 بیتی، سرعتی تا 1.5 ترابایت در ثانیه (حتی تا 2 ترابایت) ارائه دهد.